A thyristor-based semiconductor device has a thyristor that exhibits increased capacitive coupling between a conductive structure and a portion of a thyristor. According to an example embodiment of the present invention, the thyristor-based semiconductor device is manufactured having an extended portion that is outside a current path through the thyristor and that capacitively couples a conductive structure to a portion of the thyristor for controlling the current through the path. In one particular implementation, the extended portion extends from a base region of the thyristor and is outside of a current path through the base region and between an adjacent base region and an adjacent emitter region. A gate is formed capacitively coupled to the base region via the extended portion. In this manner, the control of the thyristor with the gate exhibits increased capacitive coupling, as compared to the control without the extended portion.

Un dispositivo tiristore-basato a semiconduttore ha un tiristore che esibisce l'accoppiamento capacitivo aumentato fra una struttura conduttiva e una parte di un tiristore. Secondo un metodo di realizzazione di esempio di presente invenzione, il dispositivo tiristore-basato a semiconduttore è manufactured avendo una parte estesa che è fuori di un percorso corrente tramite il tiristore e che capacitively accoppia una struttura conduttiva ad una parte del tiristore per il controllo della corrente tramite il percorso. In un'esecuzione particolare, la parte estesa si estende da una regione bassa del tiristore ed è fuori di un percorso corrente con la regione bassa e fra una regione bassa adiacente e una regione adiacente dell'emettitore. Un cancello è formato capacitively si è accoppiato alla regione bassa via la parte estesa. In questo modo, il controllo del tiristore con il cancello esibisce l'accoppiamento capacitivo aumentato, rispetto al controllo senza la parte estesa.