A method of isolation of active regions on a silicon-on-insulator semiconductor device, including the steps of: providing a silicon-on-insulator semiconductor wafer having a silicon active layer, a dielectric isolation layer and a silicon substrate, in which the silicon active layer is formed on the dielectric isolation layer and the dielectric isolation layer is formed on the silicon substrate; etching through the silicon active layer to form an isolation trench, the isolation trench defining an active region in the silicon active layer; forming a liner oxide by oxidation of exposed silicon in the isolation trench; and filling the isolation trench with a tensile stress-reducing low density trench isolation material, without thereafter densifying the tensile stress-reducing low density trench isolation material.

Une méthode d'isolement des régions actives sur un dispositif de semi-conducteur d'silicium-sur-isolateur, y compris les étapes de : fournissant une gaufrette de semi-conducteur d'silicium-sur-isolateur ayant une couche active de silicium, une couche diélectrique d'isolement et un substrat de silicium, dans lesquels la couche active de silicium est formée sur la couche diélectrique d'isolement et la couche diélectrique d'isolement est formée sur le substrat de silicium ; gravure à l'eau-forte par la couche active de silicium pour former un fossé d'isolement, le fossé d'isolement définissant une région active dans la couche active de silicium ; formation d'un oxyde de recouvrement par oxydation de silicium exposé dans le fossé d'isolement ; et remplissant fossé d'isolement de matériel deréduction de tension d'isolement de fossé de faible densité, sans densifying ensuite le matériel deréduction de tension d'isolement de fossé de faible densité.