An integrated electronic-optoelectronic module comprising: an ultrathin silicon-on-sapphire composite substrate; at least one electronic device fabricated in the ultrathin silicon; and at least one optoelectronic device bonded to the ultrathin silicon-on-sapphire composite substrate and in electrical communication with the at least one electronic device fabricated in the ultrathin silicon layer. For example, VCSELs and photodetectors are integrated with CMOS electronic circuitry to provide useful modules for electro-optical interconnects for computing and switching systems.

Ein integriertes elektronisch-optoelektronisches Modulenthalten: ein ultrathin Silikon-auf-Saphir Zusammensetzungsubstrat; mindestens eine elektronische Vorrichtung fabriziert im ultrathin Silikon; und mindestens band eine optoelektronische Vorrichtung zum ultrathin Silikon-auf-Saphir zusammengesetzten Substrat und in der elektrischen Kommunikation mit der mindestens einer elektronischen Vorrichtung ab, die in der ultrathin Silikonschicht fabriziert wurde. Z.B. werden VCSELs und Photodetektoren mit CMOS elektronischem Schaltkreis integriert, um nützliche Module für elektrooptisches zur Verfügung zu stellen zusammenschaltet für das Rechnen und die zugeschalteten Systeme.