The present invention allows the electrostatically attracting electrode, whose size corresponds to large diameter wafers, to be fabricated easily and with precision. The first electrode is provided with a recess in which to install the second electrode. An insulating film is formed in the recess and then the second electrode is securely fitted in the recess. The assembled electrode is machined to make the surfaces of the first and second electrodes flush with each other in the same plane. The flat surfaces are covered with the sprayed electrostatic attraction film, which is the polished until it has a predetermined thickness. This fabrication process allows the electrostatic attraction electrode suitable to large-diameter wafers.

A invenção atual permite que o elétrodo eletrostaticamente de atração, cujo o tamanho corresponde aos wafers do diâmetro grande, seja fabricado fàcilmente e com precisão. O primeiro elétrodo é fornecido com um rebaixo em que para instalar o segundo elétrodo. Uma película isolando é dada forma no rebaixo e o segundo elétrodo é cabido então firmemente no rebaixo. O elétrodo montado é feito à máquina para fazer as superfícies dos primeiros e segundos elétrodos nivelados com se no mesmo plano. As superfícies planas são cobertas com a película eletrostática pulverizada da atração, que é lustrado até que tenha uma espessura predeterminada. Este processo da fabricação permite o elétrodo eletrostático da atração apropriado aos wafers large-diameter.