A stratum or discontinuous monolayer of dielectric-coated semiconductor particles includes a high density of semiconductor nanoparticles with a tightly controlled range of particle sizes in the nanometer range. In an exemplary embodiment, the nanoparticles of the stratum are substantially the same size and include cores which are crystalline, preferably single crystalline, and include a density which is approximately the same as the bulk density of the semiconductor material of which the particle cores are formed. In an exemplary embodiment, the cores and particles are preferably spherical in shape. The stratum is characterized by a uniform particle density on the order of 10.sup.12 to 10.sup.13 particles/cm.sup.2. A plurality of adjacent particles contact each other, but the dielectric shells provide electrical isolation and prevent lateral conduction between the particles of the stratum. The stratum includes a density of foreign atom contamination of less than 10.sup.11 atoms/cm.sup.2. The stratum is advantageously used as the floating gate in a non-volatile memory device such as a MOSFET. The non-volatile memory device including the discontinuous floating gate of semiconductor nanoparticles exhibits excellent endurance behavior and long-term non-volatility.

Stratum или прерывный монослой диэлектрик-dielectric-coated частиц полупроводника вклюают высокую плотность nanoparticles полупроводника с плотно контролируемым рядом размеров частицы в ряд нанометра. В примерном воплощении, nanoparticles stratum будут существенн такой же размер и вклюают сердечники которые кристаллические, предпочтительн одиночные кристаллические, и вклюают плотность которая приблизительно этим же какое формируют навальной плотности материала полупроводника которого частица вырезает сердцевина из. В примерном воплощении, сердечники и частицы предпочтительн сферически в форме. Stratum охарактеризован равномерной плотностью частицы на заказе 10.sup.12 к 10.sup.13 particles/cm.sup.2. Множественность смежных частиц свяжется, но диэлектрические раковины предусматривают электрическую изоляцию и предотвращают боковую кондукцию между частицами stratum. Stratum вклюает плотность чужого загрязнения атома чем 10.sup.11 atoms/cm.sup.2. Stratum выгодн использован по мере того как плавая строб в приспособлении слаболетучей памяти such as mosfet. Приспособление слаболетучей памяти включая прерывный плавая строб nanoparticles полупроводника exhibits превосходное поведение выносливости и долгосрочная нелетучесть.