A device having a landing pad structure on an underside of a device and method for fabricating same. The device is formed from a device layer with at least one landing pad protruding from an underside thereof. The landing pad is attached to the device layer by a plug passing through an opening in the device layer. The device may be attached to the device layer by one or more compliant flexures, which allow the device to rotate in and out of a plane defined by the device layer. The landing pads are fabricated by forming one or more vias through the device layer. An underlying sacrificial layer is then partially etched to form one or more depressions at locations corresponding to locations of the vias in the device layer. The vias and depressions are then filled with a landing pad material to form a structure having one or more landing pads protruding from an underside of the device layer. The sacrificial layer is subsequently removed to release the device. Particular embodiments of both methods may be applied to fabricating microelectromechanical systems (MEMS) especially MEMS mirrors. The various embodiments are well suited to use with silicon on insulator (SOI) substrates.

Un dispositivo che ha una struttura del rilievo di atterraggio su un lato di un dispositivo e di un metodo per fabbricare stessi. Il dispositivo è formato da uno strato del dispositivo con almeno un rilievo d'atterraggio che sporge da un lato di ciò. Il rilievo di atterraggio è fissato allo strato del dispositivo da una spina che passa con un'apertura nello strato del dispositivo. Il dispositivo può essere fissato allo strato del dispositivo da una o più flessioni compliant, che permettono che il dispositivo ruoti dentro e fuori da un aereo definito dallo strato del dispositivo. I rilievi di atterraggio sono fabbricati formando uno o più vias con lo strato del dispositivo. Uno strato sacrificial di fondo allora parzialmente è inciso per formare una o più depressioni alle posizioni che corrispondono alle posizioni dei vias nello strato del dispositivo. I vias e le depressioni allora sono riempiti di materiale del rilievo di atterraggio per formare una struttura che ha uno o più rilievi di atterraggio sporgere da un lato dello strato del dispositivo. Lo strato sacrificial successivamente è rimosso per liberare il dispositivo. I procedimenti particolari di entrambi i metodi possono essere applicati a fabbricare gli specchi microelectromechanical dei sistemi (MEMS) particolarmente MEMS. I vari incorporamenti sono adatti bene per usare con silicone sui substrati dell'isolante (SOI).