The present nitride semiconductor light emitting device includes a nitride semiconductor thick film substrate and a light emitting layered structure including a plurality of nitride semiconductor layers stacked on the substrate. The nitride semiconductor substrate includes at least two layer regions including a first layer region of a high impurity concentration and a second layer region of an impurity concentration lower than the first layer region. The light emitting layered structure is formed on the first layer region of the substrate.

Η παρούσα ελαφριά εκπέμποντας συσκευή ημιαγωγών νιτριδίων περιλαμβάνει ένα παχύ υπόστρωμα ταινιών ημιαγωγών νιτριδίων και ένα φως εκπέμποντας τη βαλμένη σε στρώσεις δομή συμπεριλαμβανομένης μιας πολλαπλότητας των στρωμάτων ημιαγωγών νιτριδίων που συσσωρεύονται στο υπόστρωμα. Το υπόστρωμα ημιαγωγών νιτριδίων περιλαμβάνει τουλάχιστον τις περιοχές δύο στρωμάτων συμπεριλαμβανομένης μιας πρώτης περιοχής στρώματος μιας υψηλής συγκέντρωσης ακαθαρσιών και μιας δεύτερης περιοχής στρώματος μιας συγκέντρωσης ακαθαρσιών χαμηλότερης από την πρώτη περιοχή στρώματος. Το φως που εκπέμπει τη βαλμένη σε στρώσεις δομή διαμορφώνεται στην πρώτη περιοχή στρώματος του υποστρώματος.