A magnetic memory device includes a plurality of magnetoresistive elements arranged on a first plane in a matrix form, a plurality of first writing lines which are arranged on a second plane different from the first plane adjacent to the magnetoresistive elements, a first address decoder which selects a desired one from the plurality of first writing lines, a plurality of second writing lines crossing the plurality of first writing lines on a third plane different from the second plane and having parts adjacent to the plurality of magnetoresistive elements on the second plane and parallel to the plurality of first writing lines, and a second address decoder which selects a desired one from the plurality of second writing lines.

Un bloc de mémoires magnétique inclut une pluralité d'éléments magnétorésistants disposés sur un premier avion sous une forme de matrice, une pluralité des premières lignes d'écriture qui sont arrangées sur un deuxième avion différent du premier avion à côté des éléments magnétorésistants, un premier décodeur d'adresse qui choisit désiré à partir de la pluralité des premières lignes d'écriture, d'une pluralité des deuxièmes lignes d'écriture croisant la pluralité des premières lignes d'écriture sur un troisième avion différent du deuxième plat et ayant des pièces à côté de la pluralité d'éléments magnétorésistants sur le deuxième avion et du parallèle à la pluralité des premières lignes d'écriture, et un deuxième décodeur d'adresse qui choisit désiré à partir de la pluralité des deuxièmes lignes d'écriture.