A method in which etching or ashing is conducted by providing satisfactory kinetic energy of reaction seeds such as ions or radicals without damaging a substrate, and an apparatus used in this method are provided. A predetermined film of for example polycrystalline silicon on the substrate is etched in vapor phase using reaction seeds or precursors thereof generated by contacting a reaction gas such as CF.sub.4 with a heated catalyst of for example tungsten.

Een methode waarin de ets of de verbranding door bevredigende kinetische energie van reactiezaden zoals ionen of basissen te verstrekken zonder een substraat worden geleid te beschadigen worden, en een apparaat dat in deze methode wordt gebruikt verstrekt. Een vooraf bepaalde film van bijvoorbeeld polycrystalline silicium op het substraat wordt geëtst in dampfase gebruikend reactiezaden of voorlopers die daarvan door een reactiegas worden geproduceerd zoals CF.sub.4 met een verwarmde katalysator van bijvoorbeeld wolfram te contacteren.