The present invention concerns a method to produce a porous oxygen-silicon insulating layer comprising following steps: applying a silicon oxygen layer to a substrate exposing the said substrate to a HF ambient.

La actual invención se refiere a un método para producir una capa de aislamiento porosa del oxi'geno-silicio que abarca después de pasos: aplicando un oxígeno del silicio acode a un substrato que expone el substrato dicho a un HF ambiente.