A silicon oxide layer is produced by plasma enhanced oxidation of an organosilicon compound to deposit films having a carbon content of at least 1% by atomic weight. Films having low moisture content and resistance to cracking are deposited by introducing oxygen into the processing chamber at a flow rate of less than or equal to the flow rate of the organosilicon compounds, and generating a plasma at a power density ranging between 0.9 W/cm.sup.2 and about 3.2 W/cm.sup.2. An optional carrier gas may be introduced to facilitate the deposition process at a flow rate less than or equal to the flow rate of the organosilicon compounds. The organosilicon compound preferably has 2 or 3 carbon atoms bonded to each silicon atom, such as trimethylsilane, (CH.sub.3).sub.3 SiH. An oxygen rich surface may be formed adjacent the silicon oxide layer by temporarily increasing oxidation of the organosilicon compound.

Uno strato dell'ossido del silicone è prodotto da ossidazione aumentata plasma di un residuo dell'organosilicio per depositare le pellicole che hanno un contenuto del carbonio almeno di 1% da peso atomico. Le pellicole che hanno il basso tenore e resistenza di umidità a spezzarsi sono depositate introducendo l'ossigeno nell'alloggiamento d'elaborazione ad una portata di inferiore o uguale a la portata dei residui dell'organosilicio e generando un plasma ad una densità di alimentazione che varia fra 0.9 W/cm.sup.2 e circa 3.2 W/cm.sup.2. Un gas inerte facoltativo può essere introdotto per facilitare il processo di deposito ad una portata inferiore o uguale a la portata dei residui dell'organosilicio. Il residuo dell'organosilicio ha preferibilmente 2 o 3 atomi di carbonio legati ad ogni atomo del silicone, quale trimethylsilane, (CH.sub.3).sub.3 SiH. Una superficie ricca dell'ossigeno può essere adiacente formato lo strato dell'ossido del silicone temporaneamente aumentando l'ossidazione del residuo dell'organosilicio.