A process provides a ceramic film, such as a mesoporous silica film, on a substrate, such as a silicon wafer. The process includes preparing a film-forming fluid containing a ceramic precursor, a catalyst, a surfactant and a solvent, depositing the film-forming fluid on the substrate, and removing the solvent from the film-forming fluid on the substrate to produce the ceramic film on the substrate. The ceramic film has a dielectric constant below 2.3, a halide content of less than 1 ppm and a metal content of less than 500 ppm, making it useful for current and future microelectronics applications.

Een proces verstrekt een ceramische film, zoals een mesoporous kiezelzuurfilm, op een substraat, zoals een siliciumwafeltje. Het proces omvat het voorbereiden van een film-forming vloeistof die een ceramische voorloper, een katalysator, een capillair-actieve stof en een oplosmiddel bevat die, die de film-forming vloeistof op het substraat deponeren, en het oplosmiddel verwijderen uit de film-forming vloeistof op het substraat om de ceramische film op het substraat te produceren. De ceramische film heeft een diëlektrische constante onder 2,3, een halogenideinhoud van minder dan 1 p.p.m. en een metaalinhoud van minder dan 500 p.p.m., makend het voor huidige en toekomstige micro-elektronicatoepassingen nuttig.