This invention pertains to a method for producing hydrogenated silicon oxycarbide (H:SiOC) films having low dielectric constant. The method comprises reacting an methyl-containing silane in a controlled oxygen environment using plasma enhanced or ozone assisted chemical vapor deposition to produce the films. The resulting films are useful in the formation of semiconductor devices and have a dielectric constant of 3.6 or less.

Αυτή η εφεύρεση αναφέρεται σε μια μέθοδο για τις υδρογονωμένες ταινίες oxycarbide πυριτίου (H:SiOC) που έχουν τη χαμηλή διηλεκτρική σταθερά. Η μέθοδος περιλαμβάνει αντιδρών μεθυλικός-περιέχοντας silane σε ένα ελεγχόμενο περιβάλλον οξυγόνου χρησιμοποιώντας το πλάσμα που ενισχύεται ή που βοηθιέται όζον απόθεση χημικού ατμού για να παραγάγει τις ταινίες. Οι προκύπτουσες ταινίες είναι χρήσιμες στο σχηματισμό των συσκευών ημιαγωγών και έχουν μια διηλεκτρική σταθερά 3,6 ή λιγότερων.