An apparatus for forming a film on a substrate includes a gas inlet and an insert attached to the gas inlet, the insert including a deposition source material such as lithium. To form the film on the substrate, the substrate is mounted in a vacuum chamber. After the vacuum chamber is pumped down to a subatmospheric pressure, a first process gas such as argon is provided through the gas inlet and insert and into a plasma region proximate the substrate. Power is then coupled to generate a plasma inside of the insert which heats the insert and causes the deposition source material to vaporize. The deposition source material vapor is mixed with a plasma polymerizable material in the plasma region proximate the substrate causing a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) thin film such as silicon oxide including the deposition source material (e.g. lithium) to be deposited on the substrate.

Een apparaat om een film op een substraat te vormen omvat een gasinham en een tussenvoegsel in bijlage aan de gasinham, het tussenvoegsel met inbegrip van een deposito bronmateriaal zoals lithium. Om de film op het substraat te vormen, wordt het substraat opgezet in een vacuümkamer. Nadat de vacuümkamer neer aan een subatmospheric druk wordt gepompt, wordt een eerste procesgas zoals argon verstrekt door de gasinham en opneemt en in een naburig plasmagebied het substraat. De macht wordt dan gekoppeld om een plasma te produceren binnen van het tussenvoegsel dat het tussenvoegsel verwarmt en het deposito bronmateriaal om veroorzaakt te laten verdampen. De deposito bronmateriaaldamp wordt gemengd met een plasma polymerizable materiaal in het naburige plasmagebied het substraat veroorzakend een plasma dat verbeterd chemische dampdeposito (PECVD) dunne film zoals siliciumoxyde met inbegrip van het deposito bronmateriaal (b.v. lithium) worden gedeponeerd op het substraat.