The present invention provides a CZ silicon wafer, wherein the wafer includes rod-like void defects and/or plate-like void defects inside thereof, and a CZ silicon wafer, wherein the silicon wafer includes void defects inside the wafer, a maximum value of a ratio between long side length L1 and short side length L2 (L1/L2) in an optional rectangle circumscribed the void defect image projected on an optional {110} plane is 2.5 or more, and the silicon wafer including rod-like void defects and/or plate-like void defects inside the wafer, wherein a void defect density of the silicon wafer at a depth of from the wafer surface to at least 0.5 .mu.m after the heat treatment is 1/2 or less than that of inside the wafer. According to this, the silicon wafer, which is suitable for expanding reducing effect of void defects by heat treatment up to a deeper region, can be obtained.

A invenção atual fornece um wafer de silicone de CZ, wherein o wafer inclui haste-como defeitos vagos e/ou placa-como defeitos vagos para dentro disso, e um wafer de silicone de CZ, wherein o wafer de silicone inclui defeitos vagos dentro do wafer, um valor máximo de uma relação entre o comprimento lateral longo L1 e o comprimento lateral curto L2 (L1/L2) em um retângulo opcional circumscribed a imagem vaga do defeito projetada {em uns 110} planos opcional é 2.5 ou mais, e o wafer de silicone que inclui haste-como defeitos vagos e/ou placa-como defeitos vagos dentro do wafer, wherein uma densidade vaga do defeito do wafer de silicone em uma profundidade da superfície do wafer ao menos a 0.5 mu.m em seguida o tratamento de calor é 1/2 ou menos do que aquele dentro do wafer. De acordo com isto, o wafer de silicone, que é apropriado para o efeito se reduzindo de expansão de defeitos vagos pelo tratamento de calor até uma região mais profunda, pode ser obtido.