In order to facilitate control of the polarization plane of a laser beam emerging from a surface-emitting-type semiconductor laser in a specific direction and to suppress occurrence of fluctuations and switching of the polarization plane depending on the optical output and the environmental temperature, a strain generating section (19) is arranged adjacent to a resonator (10B) of a semiconductor laser. The strain generating section (19) impresses anisotropic stress to the resonator (10B) to generate strain, resulting in birefringence and dependence of the gain on the polarization in the resonator (10A). This enables stabilized control of the polarization plane.

Afin de faciliter la commande du plan de polarisation d'un rayon laser émergeant d'un surface-émettre-type laser de semi-conducteur dans une direction spécifique et supprimer l'occurrence des fluctuations et le changement de l'avion de polarisation selon le rendement optique et la température environnementale, une contrainte produisant de la section (19) est arrangée à côté d'un résonateur (10B) d'un laser de semi-conducteur. La contrainte produisant de la section (19) impressionne l'effort anisotrope au résonateur (10B) pour produire de la contrainte, ayant pour résultat la biréfringence et la dépendance du gain à légard la polarisation dans le résonateur (10A). Ceci permet la commande stabilisée de l'avion de polarisation.