A high-speed operation of an electroabsorption modulator is intended. A p-InGaAs contact layer 9 is formed not only in an optical modulation region MA but also in an optical coupling region CA, and an AlInAs oxide layer 7 is disposed in p-InP cladding layers 5 and 8 in a mesa MS portion of the optical coupling region CA.

Uma operação de alta velocidade de um modulador do electroabsorption é pretendida. Uma camada 9 do contato dos p-InGaAs é dada forma não somente em uma região ótica miliampère da modulação mas também em uma região ótica CA do acoplamento, e uma camada 7 do óxido de AlInAs é disposta nas camadas 5 e 8 do cladding p-P-InP em uma parcela do MS do mesa da região ótica CA do acoplamento.