In a high frequency amplifying MOSFET having a drain offset region, the size is reduced and the on-resistance is decreased by providing conductor plugs 13 (P1) for leading out electrodes on a source region 10, a drain region 9 and leach-through layers 3 (4), to which a first layer wirings 11a, 11d (M1) are connected and, further, backing second layer wirings 12a to 12d are connected on the conductor plugs 13 (P1) to the first layer wirings 11s, 11d (M1).

Dans un transistor MOSFET d'amplification à haute fréquence ayant un drain la région excentrée, la taille est réduite et la sur-résistance est diminuée en fournissant les prises 13 (P1) de conducteur pour mener hors des électrodes sur une région 10, une région 9 de source de drain et lixivier-à travers les couches 3 (4), auquel les premiers câblages 11a, 11d (M1) d'une couche sont reliés et, plus loin, soutenant les deuxièmes câblages de couche que 12a à 12d sont reliés sur les prises 13 (P1) de conducteur aux premiers câblages 11s de couche, 11d (M1).