A method of vacuum ultraviolet (VUV) lithography in which an irradiating wavelength is selected to be in a region of low absorption in air, e.g., one in the vicinity of a local minimum in an oxygen absorption spectrum. In one embodiment, a lithographic exposure wavelength is advantageously selected between 121.0 nm to 122.0 nm, preferably at about 121.6 nm, corresponding to an absorption window in the oxygen spectrum. This method relaxes the otherwise stringent vacuum and inert gas purge requirement imposed on a VUV lithographic tool.

Un método de litografía ultravioleta del vacío (VUV) en el cual una longitud de onda de irradiación se selecciona para estar en una región de la absorción baja en el aire, e.g., uno en la vecindad de un mínimo local en un espectro de absorción del oxígeno. En una encarnación, una longitud de onda litográfica de la exposición se selecciona ventajoso entre 121.0 nm a 122.0 nm, preferiblemente en cerca de 121.6 nm, correspondiendo a una ventana de la absorción en el espectro del oxígeno. Este método relaja el requisito de la purgación del vacío de otra manera riguroso y del gas inerte impuesto ante una herramienta litográfica de VUV.