The present invention relates to preparation of patterned reticles to be used as masks in the production of semiconductor and other devices. Methods and devices are described utilizing resist and transfer layers over a masking layer on a reticle. The methods and devices produce small feature dimensions in masks and phase shift masks. The methods described for masks are in many cases applicable to the direct writing on other workpieces having similarly small features, such as semiconductor, cryogenic, magnetic and optical microdevices.

Die anwesende Erfindung bezieht auf Vorbereitung der patterned als Schablonen verwendet zu werden Reticles, in der Produktion des Halbleiters und anderer Vorrichtungen. Methoden und Vorrichtungen sind beschriebenes Verwenden widerstehen und bringen Schichtüberschuß ein Maskierungsschicht auf einem Reticle. Die Methoden und die Vorrichtungen produzieren kleine Eigenschaft Maße in den Schablonen und in den Phasenverschiebung Schablonen. Die Methoden, die für Schablonen beschrieben werden, sind in vielen Fällen auf das Direktschreiben auf anderen Werkstücken anwendbar, die ähnlich kleine Eigenschaften, wie Halbleiter, kälteerzeugende, magnetische und optische microdevices haben.