A replacement gate process is disclosed comprising the steps of forming a dummy gate stack on a substrate, depositing a PMD layer on the substrate and polishing this PMD layer to expose the top surface of the dummy gate stack. The dummy gate stack can be removed selective to the spacers and the PMD layer. SiC is used as spacer or CMP stop layer to improve the uniformity of the PMD CMP step. SiC can also be used as etch stop layer during the etching of the contact holes or during the formation of a T-gate.

Un processus de porte de rechange est révélé comportant les étapes de former une pile factice de porte sur un substrat, de déposer une couche de PMD sur le substrat et de polir cette couche de PMD pour exposer la surface supérieure de la pile factice de porte. La pile factice de porte peut être sélective enlevé aux entretoises et à la couche de PMD. SiC est employé comme couche d'entretoise ou d'arrêt de CMP pour améliorer l'uniformité de l'étape de CMP de PMD. SiC peut également être employé comme couche d'arrêt gravure à l'eau forte pendant gravure à l'eau-forte des trous de contact ou pendant la formation d'une T-porte.