Read word lines and write word lines are provided corresponding to the respective MTJ (Magnetic Tunnel Junction) memory cell rows, and bit lines and reference voltage lines are provided corresponding to the respective MTJ memory cell columns. Adjacent MTJ memory cells share at least one of these signal lines. As a result, the pitches of signal lines provided in the entire memory array can be widened. Thus, the MTJ memory cells can be efficiently arranged, achieving improved integration of the memory array.

Lees woordlijnen en schrijf de woordlijnen beantwoordend aan de respectieve MTJ (de Magnetische Verbinding van de Tunnel) rijen van de geheugencel worden verstrekt, en de beetjelijnen en de lijnen van het verwijzingsvoltage beantwoordend aan de respectieve MTJ kolommen van de geheugencel worden verstrekt. De aangrenzende MTJ geheugencellen delen minstens één van deze signaallijnen. Dientengevolge, kunnen worden verstrekt de hoogten van signaallijnen die in de volledige geheugenserie worden verwijd. Aldus, kunnen de MTJ geheugencellen efficiënt worden geschikt, het bereiken betere integratie van de geheugenserie.