A solid-state magnetic memory includes: a substrate; a plurality of memory cells arrayed in a matrix on the substrate, each memory cell including a memory element and an element-selecting device, the memory element including two magnetic layers and a nonmagnetic layer sandwiched between the magnetic layers, the easy magnetization axis of each magnetic layer being directed perpendicular to the plane of the layer; a plurality of bit lines connected to the memory elements for reading out data recorded in the memory elements; and a plurality of write lines placed substantially in the same plane so as to sandwich the memory cell columns, at least one end of each write line being joined to one end of another write line so that a current flows in opposite directions at both sides of each memory cell column.

Una memoria magnetica di solid-dichiarare include: un substrato; una pluralità di cellule di memoria allineate in una tabella sul substrato, su ogni cellula di memoria compreso un elemento di memoria e un dispositivo diselezione, sull'elemento di memoria compreso due strati magnetici e su uno strato non magnetico intramezzato fra gli strati magnetici, l'asse facile di magnetizzazione di ogni strato magnetico che è perpendicolare diretta al piano dello strato; una pluralità di linee della punta ha collegato agli elementi di memoria per dare lettura dei dati registrati negli elementi di memoria; e una pluralità di scrive le linee disposte sostanzialmente nello stesso piano in modo da intramezzare le colonne delle cellule di memoria, almeno una conclusione di ciascuno scrive la linea che si è unita ad una conclusione di un altro scrive la linea in modo che una corrente entri nei sensi opposti su entrambi i lati di ogni colonna delle cellule di memoria.