A read-only nonvolatile memory in which the leakage current of unselected memory cell transistors is suppressed. Adjacent memory cell transistors are commonly connected to drain lines, and adjacent memory cell transistors on the other side are commonly connected to source lines. Gates within a same row are commonly connected to a word line. An offset structure is formed on the drain side of each memory cell transistor, and a non-offset structure is formed on the source side. Accordingly, in each memory cell transistor a depletion layer is generated between the drain region and channel region when a drain line is activated, but the depletion layer directly under a drain region does not reach the channel region when the drain line is in a state of high impedance. Therefore, there is no leakage current from the drain to the source in unselected memory cell transistors. Since there is no leakage current flowing from unselected memory cell transistors to source lines, the read margin is enhanced.

Uma memória permanente de leitura apenas em que a corrente do escapamento de transistor unselected da pilha de memória é suprimida. Os transistor adjacentes da pilha de memória são conectados geralmente às linhas de dreno, e os transistor adjacentes da pilha de memória no outro lado são conectados geralmente às linhas de fonte. As portas dentro de uma mesma fileira são conectadas geralmente a uma linha da palavra. Uma estrutura offset é dada forma no lado do dreno de cada transistor da pilha de memória, e non-desloque a estrutura é dado forma no lado da fonte. Conformemente, em cada transistor da pilha de memória um a camada de depletion está gerado entre a região do dreno e a região da canaleta quando uma linha de dreno é ativada, mas a camada de depletion diretamente sob uma região do dreno não alcança a região da canaleta quando a linha de dreno está em um estado do impedance elevado. Conseqüentemente, não há nenhuma corrente do escapamento do dreno à fonte em transistor unselected da pilha de memória. Desde que não há nenhum fluir atual do escapamento dos transistor unselected da pilha de memória às linhas de fonte, a margem lida é realçada.