A novel quantum well intermixing method for regionally modifying the bandgap properties of InGaAsP quantum well structures is disclosed. The method induces bandgap wavelength blue shifting and deep states for reducing carrier lifetime within InGaAsP quantum well structures. The novel quantum well intermixing technique is applied to the modulator section of an integrated DFB laser/electro-absorption modulator, wherein the modulator exhibits fast switching times with efficient optical coupling between the DFB laser and modulator region.

Een nieuw quantum dat goed methode om de bandgapeigenschappen van vermengt wordt quantum goed structuren regionaal te wijzigen InGaAsP onthuld. De methode veroorzaakt bandgap golflengte het blauwe verschuiven en diepe staten voor goed het verminderen van dragerleven binnen quantumstructuren InGaAsP. Het nieuwe quantum dat goed techniek vermengt wordt toegepast op de modulatorsectie van een geïntegreerde laser DFB/elektro-absorptiemodulator, waarin de modulator snelle omschakelingstijden met efficiënte optische koppeling tussen de laser DFB en het modulatorgebied tentoonstelt.