Copolymers prepared by radical polymerization of a fluorine-containing aromatic monomer and an acrylate-based comonomer that may or may not be fluorinated. The polymers are useful in lithographic photoresist compositions, particularly chemical amplification resists. In a preferred embodiment, the polymers are substantially transparent to deep ultraviolet (DUV) radiation, i.e., radiation of a wavelength less than 250 nm, including 157 nm and 248 nm radiation, and are thus useful in DUV lithographic photoresist compositions. A method for using the composition to generate resist images on a substrate is also provided, i.e., in the manufacture of integrated circuits or the like.

Copolymers που προετοιμάζονται από το ριζικό πολυμερισμό ενός fluorine-containing αρωματικού μονομερούς και ακρυλάτη-βασισμένο στον comonomer που μπορούν ή δεν να είναι φθοριωμένα. Τα πολυμερή σώματα είναι χρήσιμα στις λιθογραφικές photoresist συνθέσεις, ιδιαίτερα η χημική ενίσχυση αντιστέκεται. Σε μια προτιμημένη ενσωμάτωση, τα πολυμερή σώματα είναι ουσιαστικά διαφανή στη βαθιά υπεριώδη (DUV) ακτινοβολία, δηλ., την ακτινοβολία ενός μήκους κύματος λιγότερο από 250 NM, συμπεριλαμβανομένων 157 NM και 248 NM ακτινοβολίας, και είναι χρήσιμος έτσι στις λιθογραφικές photoresist DUV συνθέσεις. Μια μέθοδος για τη σύνθεση που παράγει αντιστέκεται στις εικόνες σε ένα υπόστρωμα παρέχεται επίσης, δηλ., στην κατασκευή των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ή των ομοίων.