An integrated circuit is protected from reverse engineering by connecting doped circuit elements of like conductivity with a doped implant in the substrate, rather than with a metallized interconnect. The doped circuit elements and their corresponding implant interconnections can be formed in a common fabrication step with common implant masks, such that they have an integral structure with similar dopant concentrations. The metallization above the substrate surface can be designed to provide further masking of the interconnects, and microbridges can be added to span strips of transistor gate material in the interconnect path.

Un circuit intégré est protégé contre le désossage en reliant les éléments de circuit enduits de la conductivité pareille à un implant enduit dans le substrat, plutôt qu'à une interconnexion métallisée. Les éléments de circuit enduits et leurs interconnexions correspondantes d'implant peuvent être formés dans une étape commune de fabrication avec les masques communs d'implant, tels qu'ils ont une structure intégrale avec les concentrations de dopant semblables. La métallisation au-dessus de la surface de substrat peut être conçue pour fournir masquer plus loin du relie ensemble, et des microbridges peuvent être ajoutés aux bandes d'envergure du matériau de grille de transistor dans le chemin d'interconnexion.