In a solid-state image pickup device including a light receiving sensor portion in a surface layer portion of a substrate, an in-layer lens disposed above the light receiving sensor portion, a color filter disposed on the in-layer lens, and an interlayer film disposed below the in-layer lens, an antireflection film is formed between the in-layer lens and the color filter, the antireflection film being formed of material having a refractive index which is an intermediate value between the refractive index of the in-layer lens and the refractive index of the color filter. Further, another antireflection film is formed between the in-layer lens and the interlayer film, the other antireflection film being formed of material having a refractive index which is an intermediate value between the refractive index of the in-layer lens and the refractive index of the interlayer film.

В полупроводниковом приспособлении чувствительного элемента изображения включая светлую получая часть датчика в части поверхностного слоя субстрата, объектив в-slo4 размещал над светлой получая частью датчика, фильтром цвета размещанным на объективе в-slo4, и пленкой прослойка размещанной под объективом в-slo4, пленка antireflection сформирован между объективом в-slo4 и фильтром цвета, пленкой antireflection будучи сформированным материала имея рефрактивным индексом который будет промежуточное значение между рефрактивным индексом объектива в-slo4 и рефрактивным индексом фильтра цвета. Более потом, другая пленка antireflection сформирована между объективом в-slo4 и пленкой прослойка, другой пленкой antireflection будучи сформированной материала имея рефрактивным индексом который будет промежуточное значение между рефрактивным индексом объектива в-slo4 и рефрактивным индексом пленки прослойка.

 
Web www.patentalert.com

< Optical sensor

< Nondestructive testing of diffusely reflective objects

> Single mode fiber optic evanescent wave refractometer

> Refractomer and method for qualitative and quantitative measurements

~ 00083