A method of forming an air gap or gaps within solid structures and specifically semiconductor structures to reduce capacitive coupling between electrical elements such as metal lines, wherein a sacrificial material is used to occupy a closed interior volume in a semiconductor structure is disclosed. The sacrificial material is caused to decompose into one or more gaseous decomposition products which are removed, in one embodiment by diffusion, through an overcoat layer. The decomposition of the sacrificial material leaves an air gap or gaps at the closed interior volume previously occupied by the sacrificial material. The air gaps may be disposed between electrical leads to minimize capacitive coupling therebetween. Also disclosed are methods of forming multi-level air gaps and methods or forming over-coated conductive lines or leads wherein a portion of the overcoating is in contact with at least one air gap.

Un metodo di formare uno spacco o lle lacune di aria all'interno delle strutture solide e specificamente strutture a semiconduttore per ridurre l'accoppiamento capacitivo fra gli elementi elettrici quali le linee del metallo, in cui un materiale sacrificial è usato per occupare un volume interno chiuso in una struttura a semiconduttore è rilevato. Il materiale sacrificial è causato per decomporrsi in uno o più prodotti gassosi di decomposizione che sono rimossi, in un incorporamento tramite diffusione, con uno strato del soprabito. La decomposizione del materiale sacrificial lascia uno spacco o lle lacune di aria al volume interno chiuso precedentemente occupato dal materiale sacrificial. Le lacune di aria possono essere disposte di fra elettrico conduce per minimizzare l'accoppiamento capacitivo therebetween. Inoltre sono rilevati i metodi di formare le lacune di aria multilivelli ed i metodi o di formare le linee o i cavi conduttivi ricoperti in cui una parte del ricoprire è in contatto con almeno uno spacco di aria.