An anisotropic conductive film 2 is superimposed on a circuit face 1a of a semiconductor wafer 1, and sandwiched and depressurizably surrounded with a flexible film 3 and a rigid plate 4 (or two flexible films) in the laminating direction, followed by depressurization of the surrounded interior by pressurizing at least in the laminating direction and heating the laminate as is from the outside, thereby joining the semiconductor wafer and the anisotropic conductive film, to produce a semiconductor wafer with an anisotropic conductive film. By forming an inhibiting layer on the rear face of a semiconductor wafer, the inhibiting layer warps in the direction antagonizing an expansion-shrinkage force produced on the anisotropic conductive film, and the warping of the entirety can be inhibited.

Uma película condutora anisotropic 2 é sobreposta em uma cara 1a do circuito de um wafer de semicondutor 1, e imprensada e cercada depressurizably com uma película flexível 3 e umas películas flexíveis rígidas da placa 4 (ou dois) no sentido laminando, seguido pelo depressurization do interior cercado pressurizando ao menos no sentido laminando e aquecendo o laminate como é da parte externa, desse modo juntando o wafer de semicondutor e a película condutora anisotropic, para produzir um wafer de semicondutor com uma película condutora anisotropic. Dando forma a uma camada inibindo na cara traseira de um wafer de semicondutor, a camada inibindo entorta no sentido que antagonizing uma força do expansão-encolhimento produzida na película condutora anisotropic, e entortar da totalidade pode ser inibido.