The white light emitting diode comprising a light emitting component using a semiconductor as a light emitting layer and a phosphor which absorbs a part of light emitted by the light emitting component and emits light of wavelength different from that of the absorbed light, wherein the light emitting layer of the light emitting component is a nitride compound semiconductor and the phosphor contains garnet fluorescent material activated with cerium which contains at least one element selected from the group consisting of Y, Lu, Sc, La, Gd and Sm, and at least one element selected from the group consisting of Al, Ga and In and, and is subject to less deterioration of emission characteristic even when used with high luminance for a long period of time.

Il diodo luminescente bianco che contiene un componente d'emissione chiaro usando un semiconduttore come strato d'emissione chiaro e un fosforo che assorbe una parte di luce ha emesso dal componente d'emissione chiaro ed emette la luce della lunghezza d'onda differente da quella della luce assorbita, in cui lo strato d'emissione chiaro del componente d'emissione chiaro è un semiconduttore compound del nitruro ed il fosforo contiene il materiale fluorescente del granato attivato con cerio che contiene almeno un elemento scelto dal gruppo che consiste di Y, LU, Sc, La, Gd e MP ed almeno un elemento scelto da Al consistente del gruppo, Ga e dentro ed ed è conforme a meno deterioramento di caratteristica dell'emissione anche quando usato con alta luminosità per un periodo di tempo lungo.