A hydrogen barrier encapsulation technique for the control of hydrogen
induced degradation of ferroelectric capacitors in non-volatile integrated
circuit memory devices. The resultant device structure ameliorates the
hydrogen induced degradation of ferroelectric capacitors by completely
encapsulating the capacitor within a suitable hydrogen barrier material,
such as chemical vapor deposition ("CVD") or sputtered silicon nitride,
thus ensuring process compatibility with industry standard process steps.
Although the deposition process for CVD Si.sub.3 N.sub.4 itself contains
hydrogen, the deposition time may be kept relatively short thereby
allowing the TiN local interconnect layer to act as a "short term"
hydrogen barrier. The techniques of the present invention are applicable
to all known ferroelectric dielectrics including Perovskites and layered
Perovskites (whether doped or undoped) including PZT, PLZT, BST, SBT and
others while simultaneously allowing for a potentially broader choice of
electrode materials and the use of a forming gas anneal process step on
the completed IC structure.
Метод заключения барьера водопода для управления водопода навел ухудшение ferroelectric конденсаторов в слаболетучих приспособлениях памяти интегрированной цепи. Возникающая структура приспособления ameliorates ухудшение наведенное водоподом ferroelectric конденсаторов вполне помещать конденсатор внутри целесообразный материал барьера водопода, such as низложение химически пара ("cvd") или sputtered нитрид кремния, таким образом обеспечивающ отростчатую совместимость с шагами индустрии стандартными отростчатыми. Хотя процесс низложения для cvd Si.sub.3 N.sub.4 самого содержит водопод, время низложения может быть сдержано относительно скоро таким образом позволяющ олову местный слой interconnect подействовать как "барьер водопода скоро термине". Методы присытствыющего вымысла применимы к всем знанным ferroelectric dielectrics включая перовскиты и наслоенные перовскиты (ли дано допинг или undoped) включая PZT, PLZT, bst, SBT и другие пока одновременно позволяющ для потенциальн более обширного выбора материалов электрода и польза формируя газа обжигает отростчатый шаг на завершитую структуру IC.
