A suspended p-GaN membrane is formed using photochemical etching which membrane can then be used in a variety of MEMS devices. In the illustrated embodiment a pump is comprised of the p-GaN membrane suspended between two opposing, parallel n-GaN support pillars, which are anchored to a rigid substrate below the pillars. The p-GaN membrane bows upward between the pillars in order to relieve stress built up during the epitaxial growth of membrane. This bowing substantially increases the volume of the enclosed micro-channel defined between membrane and substrate below. The ends of membrane are finished off by a gradual transition to the flat underlying n-GaN layer in which fluidic channels may also be defined to provide inlet and outlet channels to microchannel. A traveling wave or sequential voltage applied to the electrodes causes the membrane to deform and provide a peristaltic pumping action in the microchannel.

Se forma una membrana suspendida del p-GaN usando la aguafuerte fotoquímica que la membrana se puede entonces utilizar en una variedad de dispositivos de MEMS. En la encarnación ilustrada una bomba se abarca de la membrana suspendida entre dos que oponen, los pilares paralelos del p-GaN de la ayuda del n-GaN, que se anclan a un substrato rígido debajo de los pilares. Los arcos de la membrana del p-GaN hacia arriba entre los pilares para relevar la tensión se acumularon durante el crecimiento epitaxial de la membrana. Esta inclinación aumenta substancialmente el volumen del micro-canal incluido definido entre la membrana y el substrato abajo. Los extremos de la membrana son acabados apagado por una transición gradual a la capa subyacente plana del n-GaN en la cual los canales hidráulicos se pueden también definir para proporcionar los canales de la entrada y del enchufe al microchannel. Una onda que viajaba o un voltaje secuencial aplicó a las causas de los electrodos la membrana para deformir y para proporcionar una acción de bombeo peristáltica en el microchannel.