Liquid is removed from wafers for drying a wafer that has been wet in a liquid bath. The wafer and the bath are separated at a controlled rate as the wafer is positioned in a gas-filled volume. The controlled rate is generally not less than the maximum rate at which a meniscus will form between the liquid bath and the surface of the wafer when the liquid bath and the wafer are separated. The gas-filled volume is defined by a hot chamber that continuously transfers thermal energy to the wafer in the gas-filled volume. Hot gas directed into the volume and across the wafer and out of the volume continuously transfers thermal energy to the wafer.

De vloeistof wordt verwijderd uit wafeltjes voor het drogen van een wafeltje dat in een vloeibaar bad nat is geweest. Het wafeltje en het bad zijn gescheiden aan een gecontroleerd tarief aangezien het wafeltje in een gas-filled volume wordt geplaatst. Het gecontroleerde tarief is over het algemeen niet minder dan het maximumtarief waaraan een meniscus zich tussen het vloeibare bad en de oppervlakte van het wafeltje zal vormen wanneer het vloeibare bad en het wafeltje worden gescheiden. Het gas-filled volume wordt bepaald door een hete kamer die onophoudelijk thermische energie naar het wafeltje in het gas-filled volume overbrengt. Het hete gas dat in het volume en over het wafeltje en uit het volume wordt geleid brengt onophoudelijk thermische energie naar het wafeltje over.