A floating gate flash memory device including a substrate comprising a
source region, a drain region, and a channel region positioned
therebetween; a floating gate electrode positioned above the channel
region and separated from the channel region by a tunnel dielectric
material layer; and a control gate electrode positioned above the floating
gate electrode and separated from the floating gate electrode by an
interpoly dielectric layer, the interpoly dielectric layer comprising a
modified ONO structure having a bottom dielectric material layer adjacent
to the floating gate electrode, a top dielectric material layer adjacent
to the control gate electrode, and a center layer comprising a nitride and
positioned between the bottom dielectric material layer and the top
dielectric material layer, in which the tunnel dielectric material layer,
and at least one of the bottom dielectric material layer and the top
dielectric material layer, comprise a high-K dielectric material.
Un bloc de mémoires instantané flottant de porte comprenant un substrat comportant une région de source, une région de drain, et une région de canal placée therebetween ; une électrode de porte flottante placée au-dessus de la région de canal et séparée de la région de canal par une couche matérielle diélectrique de tunnel ; et une électrode de porte de commande placée au-dessus de l'électrode de porte flottante et séparée de l'électrode de porte flottante par une couche interpoly diélectrique, la couche interpoly diélectrique comportant une structure modifiée d'ONO ayant une couche matérielle diélectrique inférieure à côté de l'électrode de porte flottante, une couche matérielle diélectrique supérieure à côté de l'électrode de porte de commande, et une couche centrale comportant une nitrure et placée entre la couche matérielle diélectrique inférieure et la couche matérielle diélectrique supérieure, dans lesquelles la couche matérielle diélectrique de tunnel, et au moins une de la couche matérielle diélectrique inférieure et de la couche matérielle diélectrique supérieure, comportent un haut-K matériel diélectrique.
