A ferroelectric random access memory has a ferroelectric capacitor formed of a stacking of a lower electrode, a PZT film and an upper electrode of SrRuO.sub.3, wherein the PZT film includes pinholes, with a pinhole density of about 17/.mu.m.sup.2 or less.

Une mémoire à accès sélective ferroelectric a un condensateur ferroelectric constitué d'un empilement d'une électrode inférieure, d'un film de PZT et d'une électrode supérieure de SrRuO.sub.3, où le film de PZT inclut des trous d'épingle, avec une densité de trou d'épingle environ de 17/.mu.m.sup.2 ou de moins.