A method is provided for preventing dopant leaching from a doped structural
film during fabrication of a microelectromechanical system. A
microstructure that includes the doped structural film, sacrificial
material, and metallic material is produced with a combination of
deposition, patterning, and etching techniques. The sacrificial material
is dissolved with a release solution that has a substance destructive to
the sacrificial material. This substance also acts as an electrolyte,
forming a galvanic cell with the doped structural film and metallic
material acting as electrodes. The effects of the galvanic cell are
suppressed by including a nonionic detergent mixed in the release
solution.
Um método é fornecido impedindo o dopant que leaching de uma película estrutural doped durante a fabricação de um sistema microelectromechanical. Um microstructure que inclua a película estrutural doped, o material sacrificial, e o material metálico são produzidos com uma combinação do deposition, modelando, e gravando técnicas. O material sacrificial é dissolvido com uma solução da liberação que tenha uma substância destrutiva ao material sacrificial. Esta substância age também como um eletrólito, dando forma a uma pilha galvanic com a película estrutural doped e o material metálico que agem como os elétrodos. Os efeitos da pilha galvanic são suprimidos incluindo um detergente nonionic misturado na solução da liberação.