A method is provided for preventing dopant leaching from a doped structural film during fabrication of a microelectromechanical system. A microstructure that includes the doped structural film, sacrificial material, and metallic material is produced with a combination of deposition, patterning, and etching techniques. The sacrificial material is dissolved with a release solution that has a substance destructive to the sacrificial material. This substance also acts as an electrolyte, forming a galvanic cell with the doped structural film and metallic material acting as electrodes. The effects of the galvanic cell are suppressed by including a nonionic detergent mixed in the release solution.

Um método é fornecido impedindo o dopant que leaching de uma película estrutural doped durante a fabricação de um sistema microelectromechanical. Um microstructure que inclua a película estrutural doped, o material sacrificial, e o material metálico são produzidos com uma combinação do deposition, modelando, e gravando técnicas. O material sacrificial é dissolvido com uma solução da liberação que tenha uma substância destrutiva ao material sacrificial. Esta substância age também como um eletrólito, dando forma a uma pilha galvanic com a película estrutural doped e o material metálico que agem como os elétrodos. Os efeitos da pilha galvanic são suprimidos incluindo um detergente nonionic misturado na solução da liberação.