Secondary electrons and back scattered electrons generated by irradiating a wafer to be inspected, such as a semiconductor wafer, with a charged particle beam are detected by a detector. A signal proportional to the number of detected electrons is generated, and an inspection image is formed on the basis of this signal. On the other hand, in consideration of a current value and irradiation energy of a charged particle beam, an electric field on the surface of the inspection wafer, emission efficiency of the secondary electrons and back scattered electrons, and the like, an electric resistance and an electric capacitance are determined so as to coincide with those in the inspection image. In a state where a difference between a resistance value in a normal portion and a resistance value in a defective portion is sufficiently increased by using the charging generated by the irradiation of electron beams, an inspection is thereby conducted to detect a defect.

Los electrones y la parte posteriora secundarios dispersaron los electrones generados irradiando una oblea que se examinará, por ejemplo una oblea de semiconductor, con una viga cargada de la partícula son detectados por un detector. Una señal proporcional al número de electrones detectados se genera, y una imagen de la inspección se forma en base de esta señal. Por otra parte, en la consideración de un valor y una energía actuales de la irradiación de una viga cargada de la partícula, un campo eléctrico en la superficie de la oblea de la inspección, la eficacia de la emisión de los electrones secundarios y los electrones dispersados parte posteriora, y los similares, una resistencia eléctrica y una capacitancia eléctrica se determinan para coincidir con ésos en la imagen de la inspección. En un estado donde una diferencia entre un valor de la resistencia en una porción normal y un valor de la resistencia en una porción defectuosa es aumentada suficientemente usando la carga generada por la irradiación de los haces electrónicos, una inspección de tal modo se conduce para detectar un defecto.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Chromium phyllosilicate clay .alpha.-olefin catalysts

> Motorized vacuum twist fixture

> (none)

~ 00084