A method for composing a dielectric layer within an interconnect structure of a multilayer semiconductor device is disclosed. A layer of silica precursor material is first deposited on a silicon substrate. Without affecting its structure and porosity, the layer of silica precursor material is then dried; and the layer of silica precursor material becomes porous silica film. Subsequently, a protective layer, such as parylene, is deposited on top of the dried porous silica film. The thickness of the protective layer should be greater than the peak-valley planarization requirements of the silicon substrate surface. As a result, a composite porous silica film, which services as a dielectric layer within an interconnect structure, is formed. This composite porous silica film has a relatively low dielectric constant and is able to withstand damage from a standard CMP procedure.

Μια μέθοδος για ένα διηλεκτρικό στρώμα μέσα σε μια δομή διασύνδεσης μιας πολυστρωματικής συσκευής ημιαγωγών αποκαλύπτεται. Ένα στρώμα του υλικού προδρόμων πυριτίου κατατίθεται αρχικά σε ένα υπόστρωμα πυριτίου. Χωρίς επιρροή της δομής και του πορώδους του, το στρώμα του υλικού προδρόμων πυριτίου είναι έπειτα ξηρό και το στρώμα του υλικού προδρόμων πυριτίου γίνεται πορώδης ταινία πυριτίου. Στη συνέχεια, ένα προστατευτικό στρώμα, όπως parylene, κατατίθεται πάνω από την ξηρά πορώδη ταινία πυριτίου. Το πάχος του προστατευτικού στρώματος πρέπει να είναι μεγαλύτερο από τις απαιτήσεις planarization μέγιστος-κοιλάδων της επιφάνειας υποστρωμάτων πυριτίου. Κατά συνέπεια, μια σύνθετη πορώδης ταινία πυριτίου, την οποία οι υπηρεσίες ως διηλεκτρικό στρώμα μέσα σε μια δομή διασύνδεσης, διαμορφώνονται. Αυτή η σύνθετη πορώδης ταινία πυριτίου έχει μια σχετικά χαμηλή διηλεκτρική σταθερά και είναι σε θέση να αντισταθεί τη ζημία από μια τυποποιημένη διαδικασία CMP.