A dual III-V nitride laser structure has a thick current spreading layer on a sapphire substrate and a trench extending into the current spreading layer to reduce thermal cross-talk between the dual lasers.

Uma estrutura dupla do laser do nitride de III-V tem uma camada espalhando atual grossa em uma carcaça do sapphire e em uma trincheira que estendem na camada espalhando atual para reduzir o cross-talk térmico entre os lasers duplos.