An integrated circuit is made with transistors having varying characteristics in the same well. One transistor, which is particularly useful as an I/O device, has a relatively deep source/drain with a relatively thick gate dielectric. The well doping is selected so that this transistor has low leakage. Another transistor type, which is particularly useful for low voltage analog purposes, has a relatively thin gate dielectric and the relatively deep source/drain. A third transistor type, which is particularly suited for high density and low power operation, has a relatively shallow source/drain, the relatively thin gate dielectric, and a high dose halo implant. A fourth transistor type, which may also be present for high-speed operations, has the relatively thin gate dielectric, the relatively shallow source/drain, and may have a halo implant. The halo implant will be of a lower dosage than the halo implant for the third transistor type.

Eine integrierte Schaltung wird mit den Transistoren gebildet, die unterschiedliche Eigenschaften imselben gut haben. Ein Transistor, der als Ein-/Ausgabegerät besonders nützlich ist, hat ein verhältnismäßig tiefes source/drain mit einem verhältnismäßig starken Gatternichtleiter. Das Brunnenlackieren wird vorgewählt, damit dieser Transistor niedriges Durchsickern hat. Eine andere Transistorart, die Niederspannung zu den analogen Zwecken besonders nützlich ist, hat einen verhältnismäßig dünnen Gatternichtleiter und das verhältnismäßig tiefe source/drain. Eine dritte Transistorart, die besonders für hohe Dichte und niedrigen Energie Betrieb entsprochen wird, hat ein verhältnismäßig flaches source/drain, den verhältnismäßig dünnen Gatternichtleiter und ein Haloimplantat der hohen Dosis. Eine vierte Transistorart, die für Schnellbetriebe anwesend auch sein kann, hat den verhältnismäßig dünnen Gatternichtleiter, das verhältnismäßig flache source/drain und kann ein Haloimplantat haben. Das Haloimplantat ist von einer niedrigeren Dosierung als das Haloimplantat für die dritte Transistorart.