A long-wavelength VCSEL, and method of fabrication, includes a long-wavelength active region epitaxially grown on a compatible substrate with a high heat conductivity DBR mirror stack metamorphically grown on the active region. A supporting substrate is bonded to the DBR mirror stack and the compatible substrate is removed. A second mirror stack, either a DBR or a dielectric mirror stack, is formed on the opposite surface of the active region. Preferably, an InP based active region is grown on an InP based substrate and an AlAs/GaAs based metamorphic DBR mirror stack is metamorphically grown on the active region. The supporting substrate may be either an InP based substrate bonded to the active region or a layer of plated metal, such as copper, silver, gold, nickel, aluminum, etc.

Una lungo-lunghezza d'onda VCSEL ed il metodo di montaggio, include una regione attiva di lungo-lunghezza d'onda epitassiale sviluppata su un substrato compatibile con un'alta pila dello specchio di conducibilità DBR di calore metamorfico sviluppata sulla regione attiva. Un substrato di sostegno è legato alla pila dello specchio di DBR ed il substrato compatibile è rimosso. Una seconda pila dello specchio, un DBR o una pila dielettrica dello specchio, è formata sulla superficie opposta della regione attiva. Preferibilmente, una regione attiva basata InP si sviluppa su un substrato basato InP e una pila metamorfica dello specchio di DBR basata AlAs/GaAs metamorfico si sviluppa sulla regione attiva. Il substrato di sostegno può essere un substrato basato InP legato alla regione attiva o uno strato di metallo placcato, quali rame, argento, oro, nichel, alluminio, ecc.