A microelectronic semiconductor interconnect structure barrier and method of deposition provide improved conductive barrier material properties for high-performance device interconnects. The barrier includes a refractory metal such as cobalt, cobalt-based alloys, ruthenium or ruthenium-based alloys for promoting adhesion of copper. The barrier materials can be deposited by chemical-vapor deposition to achieve good step coverage and a relatively conformal thin film with a good nucleation surface for subsequent metallization such as copper metallization. In one embodiment, the barrier suppresses diffusion of copper into other layers of the device, including the inter-metal dielectric, pre-metal dielectric, and transistor structures.

Eine Mikroelektronische Halbleiterverknüpfung Struktursperre und eine Methode der Absetzung liefern verbesserte leitende Sperre, die materielle Eigenschaften für leistungsstarke Vorrichtung zusammenschaltet. Die Sperre schließt ein refraktäres Metall wie Kobalt, Kobalt-gegründete Legierungen, Ruthenium oder Ruthenium-gegründete Legierungen für die Förderung von von Adhäsion des Kupfers mit ein. Die Sperre Materialien können durch Chemikalie-Dampf Absetzung niedergelegt werden, um gute Schrittdeckung und einen verhältnismäßig konformen Dünnfilm mit einer guten Kernbildungoberfläche für folgenden Metallization wie kupfernen Metallization zu erzielen. In einer Verkörperung unterdrückt die Sperre Diffusion (Zerstäubung) des Kupfers in andere Schichten der Vorrichtung, einschließlich den Zwischen-Metallnichtleiter, Vormetallnichtleiter und Transistorstrukturen.