In producing rod-form high-purity polycrystalline silicon by depositing silicon on a silicon core by the thermal decomposition of a silane gas, the occurrence of defects near the interface of the silicon core and polycrystalline silicon newly deposited thereon is prevented. A silicon core before depositing silicon thereon is subjected to a hydrogen treatment. In this case, the treatment temperature and the treatment time are controlled according to the dew point of the hydrogen gas. After the hydrogen treatment, the hydrogen gas in a reactor may be replaced with a high-purity hydrogen gas, followed by producing a polycrystalline silicon by a silane gas.

Nel produrre il silicone policristallino di grande purezza della asta-forma depositando il silicone su un nucleo del silicone dalla decomposizione termica di un gas del silano, il caso dei difetti vicino all'interfaccia del nucleo del silicone ed il silicone policristallino recentemente depositato su ciò è evitato. Un nucleo del silicone prima di depositare il silicone su ciò è sottoposto ad un trattamento dell'idrogeno. In questo caso, la temperatura di trattamento ed il tempo di trattamento sono conciliarsi controllato al punto di rugiada dell'idrogeno. Dopo il trattamento dell'idrogeno, l'idrogeno in un reattore può essere sostituito con un idrogeno di grande purezza, seguito producendo un silicone policristallino da un gas del silano.