A non-volatile memory device includes a number of memory cells, parts of which are delineated by insulators. The insulators each include both a lower trench-fill insulator portion in a trench in the substrate, and an upper protruding portion that protrudes from the substrate. Between each pair of adjacent protruding insulator portions there is a pair of floating gates, the floating gates in contact with respective of the protruding insulator portions. There is a space or gap between the floating gates, such that a portion of a control gate enters therein, separated from the substrate by only an interpoly dielectric such as an oxide-nitride-oxide (ONO) stack, and a tunnel oxide. By storing charge on the floating gates, the conductivity of a channel between the floating gates may be altered. For example, conductivity through the channel may be "pinched off" by storing charge on the floating gates.

Μια συσκευή αμετάβλητης μνήμης περιλαμβάνει διάφορα κύτταρα μνήμης, τα μέρη των οποίων σκιαγραφούνται από τους μονωτές. Οι μονωτές κάθε ένας περιλαμβάνουν και μια χαμηλότερη μερίδα μονωτών τάφρος-αφθονίας σε μια τάφρο στο υπόστρωμα, και μια ανώτερη προεξέχουσα μερίδα που προεξέχει από το υπόστρωμα. Μεταξύ κάθε ζευγαριού των παρακείμενων προεξεχουσών μερίδων μονωτών υπάρχει ένα ζευγάρι των επιπλεουσών πυλών, οι επιπλέουσες πύλες σε επαφή με αντίστοιχο των προεξεχουσών μερίδων μονωτών. Υπάρχει ένα διάστημα ή ένα χάσμα μεταξύ των επιπλεουσών πυλών, έτσι ώστε μια μερίδα μιας πύλης ελέγχου εισάγεται εκεί μέσα, χωρισμένος από το υπόστρωμα από μόνο interpoly έναν διηλεκτρικό όπως ένας σωρός οξείδιο-νιτρίδιο-οξειδίων (ONO), και ένα οξείδιο σηράγγων. Με την αποθήκευση της δαπάνης στις επιπλέουσες πύλες, την αγωγιμότητα ενός καναλιού μεταξύ των επιπλεουσών πυλών μπορεί να αλλάξουν. Παραδείγματος χάριν, η αγωγιμότητα μέσω του καναλιού μπορεί "να τσιμπηθεί από" με την αποθήκευση της δαπάνης στις επιπλέουσες πύλες.