A circuit having a CMOS configuration in which n-type and p-type thin film transistors are connected in a complementary manner to one another is employed as a drive circuit of a display or the like. The n-type and p-type thin film transistors have common gate electrodes and drain electrodes, with respective source electrodes being connected to difference power sources, thereby providing a complementary connection structure. A source electrode of that one of the n-type thin film transistor and the p-type thin film transistor that is subjected for a longer period of time to an off voltage, applied to the shared gate electrode, for turning that transistor off, is extended in such a manner as to overlap a channel formation region of the corresponding thin film transistor. This present a variation in characteristic of the thin film transistor.

Un circuito que tiene una configuración del Cmos en la cual el n-tipo y el p-tipo transistores de la película fina estén conectados de una manera complementaria con una otra se emplea mientras que un circuito de impulsión de una exhibición o de los similares. El n-tipo y el p-tipo transistores de la película fina tienen electrodos de puerta común y drenan los electrodos, con los electrodos respectivos de la fuente que son conectados con las fuentes de energía de la diferencia, de tal modo proporcionando una estructura complementaria de la conexión. Un electrodo de la fuente de aquél del n-tipo transistor de la película fina y del p-tipo transistor de la película fina que se sujeta por un período de la hora más largo apagado a un voltaje, aplicado al electrodo de puerta compartido, para dar vuelta a ese transistor apagado, se amplía de tal manera en cuanto a traslapo una región de la formación del canal del transistor correspondiente de la película fina. Este presente una variación en la característica del transistor de la película fina.