A monolithic two-wavelength semiconductor laser device includes a front end face film 19 on a resonator front end face 18, and a high-reflectivity end face film 22 as a multilayered film on a resonator rear end face 21. The front end face film 19 is formed using a low-refractive-index material, and the film thickness is so set that the reflectivity is 20%. The high-reflectivity end face film 22 is formed by alternately stacking thin films of low- and high-refractive-index materials, and the film thickness is so set that the reflectivity is 80%. The film thickness of each of these two end face films is calculated by an optical length d=(1/4+j).times..lambda.m by using a mean value .lambda.m=(.lambda.1+.lambda.2)/2 of the oscillation wavelengths of the two semiconductor laser diodes. This makes it possible to obtain an end face film having a desired reflectivity and capable of being formed at once, and to fabricate a two-wavelength semiconductor laser device having high reliability, meeting the required performance, and also having high productivity.

Un dispositivo monolítico del laser del semiconductor de la dos-longitud de onda incluye una película 19 de la cara del extremo delantero en una cara 18 del extremo delantero del resonador, y una película 22 de la cara del extremo de la alto-reflectividad como película de varias capas en una cara 21 del extremo posterior del resonador. Se forma la película 19 de la cara del extremo delantero usando un material del bajo-refractivo-i'ndice, y el espesor del film es así que sistema que la reflectividad es el 20%. La película 22 de la cara del extremo de la alto-reflectividad es formada alternativamente apilando las películas finas de los materiales del punto bajo y del alto-refractivo-i'ndice, y el espesor del film es así que sistema que la reflectividad es el 80%. El espesor del film de cada uno de estas películas de la cara de dos extremos es calculado por una longitud óptica d=(1/4+j).times..lambda.m usando un lambda.m=(.lambda.1+.lambda.2)/2 del valor medio de las longitudes de onda de la oscilación de los dos diodos del laser del semiconductor. Esto permite obtener una película de la cara del extremo que tiene una reflectividad deseada y capaz de la formación inmediatamente, y fabricar un dispositivo del laser del semiconductor de la dos-longitud de onda que tiene alta confiabilidad, resolviendo el funcionamiento requerido, y también teniendo alta productividad.