There is disclosed a semiconductor light emitting element formed by selective growth and being high in light emitting efficiency, in which at least one GaN-based layer grown by ELO is stacked/formed on a sapphire substrate, and a fluorescent substance for converting an ultraviolet light to a visible light is contained in a selective growth mask material layer for use in this case. Since this fluorescent substance converts the ultraviolet light to the visible light, a binding efficiency of the ultraviolet light to the fluorescent substance is enhanced in either one of a center light emitting type and UV light emitting type of light emitting elements. By further containing the fluorescent substance into a passivation film, the efficiency is further enhanced.

È rilevato un elemento d'emissione chiaro a semiconduttore costituito da sviluppo selettivo e dall'essere alto alla luce che emette l'efficienza, in cui almeno una GaN-ha basato lo strato sviluppato da ELO è stacked/formed su un substrato dello zaffiro e una sostanza fluorescente per convertire una luce ultravioletta in luce visibile è contenuta in uno strato materiale della mascherina selettiva di sviluppo per uso in questo caso. Poiché questa sostanza fluorescente converte la luce ultravioletta in luce visibile, un'efficienza obbligatoria della luce ultravioletta alla sostanza fluorescente è aumentata in uno una di una luce concenta che emettono il tipo e di una luce UV che emette il tipo di luce che emette gli elementi. Contenente inoltre la sostanza fluorescente in una pellicola di passività, l'efficienza più ulteriormente è aumentata.