A load control apparatus, in the form of a hybrid IC, comprises a microcomputer, control IC, and a plurality of MOS transistors. The control IC comprises only one temperature detection circuit for the MOS transistors. The MOS transistors and the temperature detection circuit are closely provided in thermally coupled manner. A temperature detected by the temperature detection circuit is compared with a predetermined threshold temperature for the purpose of detecting abnormal heat generation. When abnormal heat generation is detected, a current of each MOS transistor detected by a current detection circuit is compared with a predetermined threshold current for the purpose of detecting the MOS transistors under abnormal condition. The MOS transistor which is under the abnormal condition is exclusively controlled to protect other components.

Ein Last Steuerapparat, in Form einer hybriden IS, enthält einen Mikrocomputer, Steuer-IS und eine Mehrzahl von den MOS Transistoren. Die Steuer-IS enthält nur eine Temperaturauswerteschaltung für die MOS Transistoren. Die MOS Transistoren und die Temperaturauswerteschaltung werden nah in thermisch verbundener Weise zur Verfügung gestellt. Eine Temperatur, die durch die Temperaturauswerteschaltung ermittelt wird, wird mit einer vorbestimmten Schwelle Temperatur mit dem Ziel das Ermitteln des anormalen Hitzeerzeugung verglichen. Wenn anormales Hitzeerzeugung ermittelt wird, wird ein Strom jedes MOS Transistors, der durch eine gegenwärtige Auswerteschaltung ermittelt wird, mit einem vorbestimmten Schwelle Strom mit dem Ziel das Ermitteln der MOS Transistoren unter anormaler Bedingung verglichen. Der MOS Transistor, der unter der anormalen Bedingung ist, wird ausschließlich gesteuert, um andere Bestandteile zu schützen.