A suitable cross-linkable matrix precursor and a poragen can be treated to form a porous cross-linked matrix having a T.sub.g of greater than 300.degree. C. The porous matrix material has a lower dielectric constant than the corresponding non-porous matrix material, making the porous matrix material particularly attractive for a variety of electronic applications including integrated circuits, multichip modules, and flat panel display devices.

Un précurseur réticulable approprié de matrice et un poragen peuvent être traités pour former une matrice réticulée poreuse ayant un T.sub.g de 300.degree plus grand que. C. Le matériel poreux de matrice a une constante diélectrique inférieure que le matériel non poreux correspondant de matrice, rendant le matériel poreux de matrice particulièrement attrayants pour une variété d'applications électroniques comprenant des circuits intégrés, des modules de multichip, et des dispositifs d'affichage sur écran plat.